Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston™, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中  ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產(chǎn)中的氣體偵測分析, 實(shí)現(xiàn)尾氣在線監(jiān)控, 診斷, 為半導(dǎo)體過程控制提供解決方案, 提高半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)量, 吞吐量和效率

Aston™ 質(zhì)譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 在惡劣的 CVD 環(huán)境中, Aston™ 利用可操作的數(shù)據(jù)預(yù)測和防范因 CVD 干泵引起的災(zāi)難性故障.

半導(dǎo)體和薄膜太陽能工藝使用并產(chǎn)生各種工藝氣體和顆粒材料副產(chǎn)品, 有害氣體需要以受控方式進(jìn)行處理. 使用 Aston 等離子體質(zhì)譜儀, 可以根據(jù)進(jìn)入的廢氣濃度和測量的排放氣體數(shù)據(jù), 記錄日志, 對燃燒過程進(jìn)行現(xiàn)場優(yōu)化控制.

EUV 極紫外光刻技術(shù)越來越多地用于支持 <10nm 工藝技術(shù)的關(guān)鍵尺寸圖案形成. 管理這些價(jià)值超過 2億美元光刻機(jī)的正常運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)量對晶圓 Fab 廠的經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要. 上海伯東日本 Atonarp Aston™ 過程質(zhì)譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)盡可能實(shí)現(xiàn)反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston™ 過程質(zhì)譜的實(shí)時(shí)氫氣 H₂ 監(jiān)測也降低了每個(gè) EUV 工具的氫氣消耗.

沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關(guān)鍵指標(biāo)之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進(jìn)以降低每次移動(dòng)成本和減少資本支出的關(guān)鍵指標(biāo). 上海伯東日本 Atonarp Aston™ 質(zhì)譜儀提供腔室清潔終點(diǎn)檢測方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時(shí), 縮短了生產(chǎn)時(shí)間.

 Aston™ 質(zhì)譜儀 的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES（LOD 約 2.5%）高出一個(gè)數(shù)量級(jí). 此外, Aston™內(nèi)部產(chǎn)生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無論處理室中是否存在等離子體源.

Aston™ 質(zhì)譜分析儀是一款快速, 強(qiáng)大的化學(xué)特異性氣體質(zhì)譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在這些非等離子體（“lights-off”）過程中提供原位計(jì)量和控制. 它可以實(shí)現(xiàn)快速, 化學(xué)特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù).

Aston™支持原位質(zhì)譜, 無需使用傳統(tǒng)氣相色譜質(zhì)譜解決方案即可進(jìn)行快速, 定量的氣體分析. 樣品可以在幾秒鐘內(nèi)完成分析, 靈敏度達(dá)到十億分之幾, 無需專業(yè)技術(shù)人員支持即可輕松實(shí)現(xiàn). 高度集成和緊湊的 Aston ICP-MS 系統(tǒng)的尺寸通常不到傳統(tǒng) GC-MS 的三分之一, 體積小且堅(jiān)固實(shí)用, 無需專門的處理或載氣瓶即可運(yùn)輸?shù)浆F(xiàn)場進(jìn)行測試.

上海伯東 Aston™ 質(zhì)譜儀的原位實(shí)時(shí)分子診斷和云連接數(shù)據(jù)是實(shí)現(xiàn)這一能力的關(guān)鍵技術(shù), 從而解鎖半導(dǎo)體設(shè)備與工藝協(xié)同優(yōu)化的潛力.

Aston 原位質(zhì)譜儀可以進(jìn)行快速, 化學(xué)特異性原位定量氣體分析, 以實(shí)現(xiàn)安全, 準(zhǔn)確和效率高的腔室吹掃終點(diǎn)檢測. 與典型的基于時(shí)間的清洗程序相比, 這可以節(jié)省大量的設(shè)備停機(jī)時(shí)間。