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KRi 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能.

在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), 具有原子級控制的材料和表面特征.

美國 KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 離子源中和器

考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr. Harold Kaufman

產(chǎn)品詳細資料

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)商用離子源
2016 年入選美國太空總署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

KRi 射頻離子源 RFICP 系列

產(chǎn)品詳細資料

射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 離子源單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

離子源型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 考夫曼離子源 KDC 系列

產(chǎn)品詳細資料

離子源通過加熱燈絲產(chǎn)生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

離子源型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 霍爾離子源 eH 系列

產(chǎn)品詳細資料

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源

離子源型號	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000	eH Linear
離子動能	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據(jù)實際應(yīng)用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45